三星发布第二代32层3D立体堆叠闪存

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2013年8月,三星电子宣布批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。今天,三星又公布了第二代,堆叠的闪存竟然达到了32层,比第一代的24层又增加了三分之一。与此同时,三星还推出了一系列基于这种新闪存的固态硬盘,容量有128GB、256GB、512GB、1TB等不同规格,应用市场也从数据中心拓展到了高端PC。

三星称,相比于普通的2D平面闪存,新的3D立体闪存写入寿命可以延长大约一倍,功耗降低20%。

多层堆叠最大的好处就是可以增加单颗闪存的容量,从而减少整块硬盘所需的颗粒数量,不过三星并未公布目前可以达到单颗最高多大容量。去年的是单颗16GB。

三星表示,今年晚些时候还会推出更多3D闪存固态硬盘,容量更大,可靠性更高。

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